文章摘要:<正>一、征文范围宽禁带（GaN、SiC等）外延材料的结构设计、制备与检测技术;功率器件用GaAs、InP外延材料的结构设计、制备与检测技术;基于金刚石、石墨烯的功率器件的结构设计、加工与测试技术;微波功率器件的结构设计、加工与测试技术;电力电子器件的结构设计、加工与测试技术;特种高功率半导体器件的结构设计、加工与测试技术;功率器件的封装和可靠性技术;功率器件的系统集成技术;功率器件及其系统集成的仿真技术;相关的加工、检验、测试的先进仪器与设备;功率器件及其电路在电子制造业、网络通信、消费电子、工业控制、汽车电子等领域的应用技术;半导体功率器件相关技术的知识产权保护。二、论文要求字数约600字论文摘要,完整表述论文的背景、论据和结论,用A4纸版面,Word格式书写,注明作者单位、姓名、简历和联系方式,用电子邮件发送到会议筹备组（polaris13@vip.163.com,文章一经收到,会务组会以邮件回复,如未收到邮件回复,请电话联系会务组予以确认）。论文详细摘要截稿日期:2021年09月30日。论文一经录用,将立即通知作者,其论文可以依据作者意愿在中文核心期刊、中国科技核心期刊《半导体技术》和《微纳电子技术》全文免费发表。

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论文分类号:TN30-2